درحال بارگذاري...
جستجو
جستجو در این منبع
ترتيب بر اساس
طراحی یک تقویت کننده حسی با قابلیت حذف آفست و جریان نشتی خطوط بیت برای حافظه های SRAM زیر آستانه
1106 مرتبه مشاهده شده

طراحی یک تقویت کننده حسی با قابلیت حذف آفست و جریان نشتی خطوط بیت برای حافظه های SRAM زیر آستانه

زمانی، میلاد Zamani, Milad

  1. شماره پایان نامه:43174
  2. کد دانشکده:05
  3. پديدآور: زمانی، میلاد
  4. عنوان:طراحی یک تقویت کننده حسی با قابلیت حذف آفست و جریان نشتی خطوط بیت برای حافظه های SRAM زیر آستانه.
  5. نام دانشگاه/پژوهشگاه:صنعتی شریف
  6. سال اخذ مدرك:1391.
  7. نام دانشکده:مهندسی برق
  8. مقطع:کارشناسی ارشد
  9. گرایش:الکترونیک
  10. یادداشت:82ص.: جدول، نمودار، کتابنامه؛ چکیده به فارسی و انگلیسی
  11. توصیفگر: سلول دسترسی تصادفی ایستا Static Random Access Memory (SRAM)Cell
  12. توصیفگر: تقویت کننده حس کننده Sense Amplifier
  13. توصیفگر: حذف افست Offset Concellation
  14. توصیفگر: جریان نشتی خطوط بیت Bitline Leakage Current
  15. توصیفگر: ولتاژ زیرآستانه Sub-Threshold Voltage
  16. استاد راهنما. شریف خانی، محمد

 فهرست محتوای دیجیتالی

 فهرست مطالب

اين منبع فهرست مطالبي ندارد

 فهرست نقدها