درحال بارگذاري...
جستجو
| ایمیل دوست | |
| نام شما | |
| ایمیل شما | |
| کد مقابل را وارد نمایید | |
این صفحه برای دوست شما با موفقیت ارسال شد.
1106 مرتبه مشاهده شده
طراحی یک تقویت کننده حسی با قابلیت حذف آفست و جریان نشتی خطوط بیت برای حافظه های SRAM زیر آستانه
زمانی، میلاد Zamani, Milad
- شماره پایان نامه:43174
- کد دانشکده:05
- پديدآور: زمانی، میلاد
- عنوان:طراحی یک تقویت کننده حسی با قابلیت حذف آفست و جریان نشتی خطوط بیت برای حافظه های SRAM زیر آستانه.
- نام دانشگاه/پژوهشگاه:صنعتی شریف
- سال اخذ مدرك:1391.
- نام دانشکده:مهندسی برق
- مقطع:کارشناسی ارشد
- گرایش:الکترونیک
- یادداشت:82ص.: جدول، نمودار، کتابنامه؛ چکیده به فارسی و انگلیسی
- توصیفگر: سلول دسترسی تصادفی ایستا Static Random Access Memory (SRAM)Cell
- توصیفگر: تقویت کننده حس کننده Sense Amplifier
- توصیفگر: حذف افست Offset Concellation
- توصیفگر: جریان نشتی خطوط بیت Bitline Leakage Current
- توصیفگر: ولتاژ زیرآستانه Sub-Threshold Voltage
- استاد راهنما. شریف خانی، محمد
-
محتواي پايان نامه
- مشاهده
