درحال بارگذاري...
جستجو
| ایمیل دوست | |
| نام شما | |
| ایمیل شما | |
| کد مقابل را وارد نمایید | |
این صفحه برای دوست شما با موفقیت ارسال شد.
فهرست محتوای دیجیتالی
فهرست مطالب
فهرست نقدها
901 مرتبه مشاهده شده
طراحی و پیادهسازی نوسانگر کنترلشونده با ولتاژ برای رادار خودروی 77 گیگاهرتز
کیاور، امیر ارسلان Kiavar, Amir Arsalan
- شماره پایان نامه:54434
- کد دانشکده:05
- پديدآور: کیاور، امیر ارسلان
- عنوان:طراحی و پیادهسازی نوسانگر کنترلشونده با ولتاژ برای رادار خودروی 77 گیگاهرتز.
- نام دانشگاه/پژوهشگاه:صنعتی شریف
- سال اخذ مدرك:1400.
- نام دانشکده:مهندسی برق
- مقطع:کارشناسی ارشد
- گرایش:الکترونیک - مدارها
- توصیف ظاهری:219ص.: جدول، نمودار، کتابنامه؛ چکیده به فارسی و انگلیسی
- توصیفگر: نوسانگر کنترل شونده با ولتاژ Voltage Controlled Oscillator
- توصیفگر: نوسانگرها Oscillators
- توصیفگر: نوسانگر تفاضلی فناوری سی ماس Differential CMOS Oscillator
- توصیفگر: تابع حساسیت ضربه Impulse Sensitivity Function (ISF)
- توصیفگر: رادار خودرو 77 گیگاهرتز 77GHz Automotive Radar
- توصیفگر: رادار موج - پیوسته با مدولاسیون فرکانسی Frequency Modulated Continuous Wave (FMCW)
- توصیفگر: نوسانگر کم نویز Low Noise Oscillator
- توصیفگر: نوسانگر کلاس SF3 Class SF3 Oscillator
- توصیفگر: خلبان خودکار Autopilot
- توصیفگر: مهندسی هماهنگ Harmonic Engineering
- استاد راهنما. مدی، علی
-
محتواي کتاب
- مشاهده
- فصل 1: مقدمه
- 1-1- مقدمه
- 2-1- تاریخچهی رادار خودرو
- 3-1- کاربردهای رادار خودرو
- 4-1- رادارهای موج میلیمتری
- 5-1- نحوهی کار رادار FMCW
- شکل )2-1( خلاصهی نحوهی عملکرد رادار FMCW [2]
- 1-5-1- شکل سیگنال FMCW ارسالی
- 2-5-1- مشخصات سیستمی رادار خودرو
- 6-1- سیستم رادار خودروی 77 گیگاهرتز
- 7-1- محتوای رساله
- فصل 2: پارامترهای طراحی نوسانگر
- 1-2- مقدمه
- 2-2- تئوریهای نویز فاز
- 1-2-2- تئوری لیسون
- 2-2-2- تئوری ISF
- 3-2-2- آنالیز فازوری نویز فاز
- )2-27(
- )2-28(
- )2-29(
- شکل )7-2( الف) پاسخ غیرخطینگی به ورودی مدوله شده با فاز و دامنه ب) مدلسازی غیرخطینگی با رسانایی بدون حافظه [14]
- شکل )8-2( نوسانگر بدون نویز تحریک شده با منبع نویز خارجی [14]
- شکل )9-2( امپدانس دیده شده توسط جریان مدولهکننده PM و AM [14]
- شکل )10-2( نوسانگر ترارسانایی منفی هنگام ورود غیرخطینگی به ناحیه ترایود [14]
- شکل )11-2( نوسانگر استاندارد بایاس ولتاژی NMOS-تنها [14]
- 4-2-2- اثر گروزکوسکی69F
- 5-2-2- تبدیل نویز AM به FM در حضور واراکتور و خازنهای غیرخطی [22]
- 6-2-2- نتیجهگیری از معادلات نویز فاز
- 3-2- اثر مهندسی هارمونیک بر پارامترهای نوسانگر
- 1-3-2- طراحی تانک با قابلیت جاروب امپدانس مد مشترک و مد دیفرانسیل
- 2-3-2- شبیهسازی ISF مدار با استفاده از PXF
- 3-3-2- اثر امپدانس مد مشترک بر مشخصات مدار
- شکل )21-2( اندازه و فاز امپدانس مد دیفرانسیل و جاروب فرکانس رزونانس امپدانس مد مشترک
- شکل )22-2( اثر جاروب فرکانس رزونانس امپدانس مد مشترک بر (الف) اندازه هارمونیک اول تا سوم ولتاژ خروجی و (ب) اندازه هارمونیک صفر ( DC) تا سوم جریان ترانزیستور
- شکل )23-2( تخت شدن ولتاژ خروجی در اثر حضور امپدانس مد مشترک در هارمونیک دوم ولتاژ) = 2f0 fcm)
- شکل )24-2( اثر جاروب فرکانس رزونانس امپدانس مد مشترک بر (الف) ضریب بازدهی جریان و (ب) ضریب بازدهی ولتاژ
- شکل )25-2( اثر جاروب فرکانس رزونانس امپدانس مد مشترک بر (الف) Gm و (ب) Gds (نمودار آبی رنگ با حضور رزونانس مد مشترک در فرکانس دو برابر فرکانس نوسان و نمودار قرمز رنگ در نبود آن.)
- شکل )26-2( اثر جاروب فرکانس رزونانس امپدانس مد مشترک بر (الف) اندازه هارمونیکهای اول تا سوم Gm، (ب) اندازه هارمونیکهای اول تا سوم Gds، (ج) Gm,eff و (د)Gds,eff
- شکل )27-2( اثر جاروب فرکانس رزونانس امپدانس مد مشترک بر ضرایب تابع ISF
- شکل )28-2( اثر جاروب فرکانس رزونانس امپدانس مد مشترک برضریب DC تابع ISF
- شکل )29-2( نمودار ISF2 و شکل موج خروجی در حالتی= 2f0 fcm باشد
- شکل )30-2( نمودار ISF و ISFeff ناشی از Gm، Gds و Gm+Gds در حالتی= 2f0 fcm باشد
- شکل )31-2( اثر جاروب فرکانس رزونانس امپدانس مد مشترک بر ضرایب نویز Ftank، FGds و FGm
- شکل )32-2( اثر جاروب فرکانس رزونانس امپدانس مد مشترک در شبیهسازی سهم نویز
- شکل )33-2( اثر جاروب فرکانس رزونانس امپدانس مد مشترک بر (الف) FOM، (ب) نویز فاز آفست دور و نزدیک، (ج) توان مصرفی و (د) همهی مشخصهها در یک نمودار
- 4-3-2- اثر امپدانس مد دیفرانسیل بر مشخصات مدار
- شکل )34-2( اندازه و فاز امپدانس مد دیفرانسیل و جاروب فرکانس رزونانس مد مشترک75F
- شکل )35-2( اثر جاروب امپدانس مد دیفرانسیل بر (الف) اندازه هارمونیک اول تا سوم ولتاژ خروجی و (ب) اندازه هارمونیک صفر (DC)تا سوم جریان ترانزیستور
- شکل )36-2( مربعی شدن شکل موج ولتاژ خروجی در اثر حضور امپدانس مد دیفرانسیل در هارمونیک سوم ولتاژ) = 3f0 fDm (
- شکل )37-2( اثر جاروب فرکانس رزونانس دوم امپدانس مد دیفرانسیل بر (الف) ضریب بازدهی جریان و (ب) ضریب بازدهی ولتاژ
- شکل )38-2( اثر جاروب فرکانس رزونانس دوم امپدانس مد دیفرانسیل بر (الف) Gm و (ب) Gds
- شکل )39-2( اثر جاروب فرکانس رزونانس دوم امپدانس مد دیفرانسیل بر (الف) اندازه هارمونیکهای اول تا سوم Gm، (ب) اندازه هارمونیکهای اول تا سوم Gds، (ج) Gm,eff و (د)Gds,eff
- شکل )40-2( اثر جاروب فرکانس رزونانس دوم امپدانس مد دیفرانسیل بر ضرایب تابع ISF
- شکل )41-2( اثر جاروب فرکانس رزونانس دوم امپدانس مد دیفرانسیل برضریب DC تابع ISF
- شکل )42-2( نمودار ISF2 و شکل موج خروجی در حالتی کهfdm=3f0 باشد
- شکل )43-2( نمودار ISF و ISFeff ناشی از Gm، Gds و Gm+Gds در حالتی که fdm=3f0 باشد
- شکل )44-2( اثر جاروب فرکانس رزونانس دوم امپدانس مد دیفرانسیل بر ضرایب نویز Ftank، FGds و FGm
- شکل )45-2( اثر جاروب فرکانس رزونانس دوم امپدانس مد دیفرانسیل در شبیهسازی سهم نویز
- شکل )46-2( اثر جاروب فرکانس دوم امپدانس مد دیفرانسیل بر (الف) FOM، (ب) نویز فاز آفست دور و نزدیک، (ج)توان مصرفی و (د)همهی مشخصهها در یک نمودار
- 4-2- اثر هارمونیکهای جریان بر انتقال نویز فلیکر
- )2-72(
- )2-73(
- )2-74(
- شکل )47-2( شیب ولتاژ خروجی هارمونیک دوم و سوم در صورت عبور جریانهای هارمونیک بالا از مسیر خازنی در لحظات گذر از صفر ولتاژ هارمونیک اول [20]
- شکل )47-2( شیب ولتاژ خروجی هارمونیک دوم و سوم در صورت عبور جریانهای هارمونیک بالا از مسیر خازنی در لحظات گذر از صفر ولتاژ هارمونیک اول [20]
- شکل )47-2( شیب ولتاژ خروجی هارمونیک دوم و سوم در صورت عبور جریانهای هارمونیک بالا از مسیر خازنی در لحظات گذر از صفر ولتاژ هارمونیک اول [20]
- 5-2- قابلیت اطمینان در افزارههای CMOS [26]
- 6-2- نتیجهگیری
- فصل 3: رسم ترانسفورمر
- فصل 4: کلاسهای نوسانگر
- 1-4- مقدمه
- 2-4- تقسیم بندی نوسانگرها
- 3-4- نوسانگر با تانک موازی
- شکل )2-4( حالت کلی نوسانگر با تانک موازی
- 1-3-4- نوسانگر کلاس B استاندارد (B-SS)
- 2-3-4- نوسانگر کلاس C
- 3-3-4- نوسانگر کلاس B با رزونانس مد مشترک در فرکانس زوج (کلاس B2)
- شکل )10-4( چرخش هارمونیکهای فرد جریان در قسمت فوقانی مدار [36]
- شکل )11-4( نوسانگر کلاس B با فیلتر نویز در دم
- شکل )12-4( جاروب سلف دم و اثر آن بر پارامترهای مدار در حالت (a) سلف بدون ضریب کوپلینگ در تانک (b) سلف با ضریب کوپلینگ در تانک [29]
- شکل )13-4( (a) نوسانگر کلاس B2 با رزونانس مد مشترک خارجی (b) مدار معادل AC با جابهجایی مرجع مدار به سورس ترانزیستورها (c) محاسبهی امپدانس مد دیفرانسیل (d) محاسبهی امپدانس مد مشترک [29]
- شکل )14-4( اثر نسبت C2/C1 بر ENF نوسانگر [37]
- شکل )15-4( اثر مقاومت خروجی ترانزیستورهای هسته بر نویز فاز خروجی [29]
- شکل )16-4( اثر گین حلقه و ولتاژ آستانه بر FOM نوسانگر کلاس B2 به ازای جاروب خازن دیفرانسیل به تکسر متفاوت [29]
- شکل )17-4( مدل فرکانس بالای نوسانگر کلاس B2 با رزونانس مد مشترک خارجی [39]
- شکل )18-4( نوسانگر کلاس B2 متممی با رزونانس مد مشترک خارجی [37]
- شکل )19-4( مقایسهی شکل موج دو نوسانگر کلاس B2 با رزونانسهای مد مشترک خارجی و ذاتی [29]
- شکل )20-4( سلف نوسانگر B2-I [29]
- شکل )21-4( نوسانگر کلاس B2-I متممی
- شکل )22-4( شکل موج ولتاژ و ISF به ازای مقادیر مختلف
- شکل )23-4( تانک ترانسفورمری [27]
- شکل )24-4( نسبت فرکانس رزونانسهای تانک ترانسفورمری به ازای جاروب ضریب X [27]
- شکل )25-4( دیاگرام بود تابع گین ثانویه به اولیه ترانسفورمر [27]
- شکل )26-4( شماتیک نوسانگر کلاس F [27]
- شکل )27-4( تحمیل مسیر مقاومتی برای جریانهای هارمونیک دوم و سوم تانک برای مقابله با پدیدهی گروزکوسکی [20]
- شکل )28-4( ترانسفورمر F2 [20]
- شکل )29-4( تانک نوسانگر کلاس F23
- 4-4- نوسانگر با تانک مخلوط
- 5-4- نوسانگرهای سری (Class-S)
- 6-4- نوسانگرهای پیشنهادی
- 7-4- نوسانگر کلاس SF3
- 1-7-4- ساختار SF3
- 2-7-4- شبیهسازی نوسانگرهای کلاس S وکلاس SF3 در CMOS-65nm
- شکل )39-4( نتایج شبیهسازی نوسانگر کلاس S (الف) شکل موج خروجی معکوسکننده (ب) سیگنال ربعی98F تولیدشده در خروجی (پ) نویز فاز خروجی (ت) FOM نوسانگر
- شکل )40-4( نتایج شبیهسازی نوسانگر کلاس SF3 (آبی S و قرمز SF3) (الف) ولتاژ درایوکنندهی تانک (ب) ولتاژ هارمونیک اصلی (ت) نویز فاز خروجی (ث) FOM خروجی
- شکل )41-4( نتایج شبیهسازی نوسانگر کلاس SF3 (الف) جریان تانک (ب) ولتاژ خروجی بین سلف L3 و C3 (پ) اندازهی هارمونیکهای جریان تانک در حوزهی فرکانس (ت) اندازهی هارمونیکهای ولتاژ خروجی بین سلف L3 و C3
- 3-7-4- نتیجهگیری از مقایسهی نوسانگر کلاس S و SF3
- 8-4- نوسانگر با رزونانس مد مشترک ذاتی ترانسفورمری با گین پسیو (کلاس PD)
- 1-8-4- شماتیک نوسانگر کلاس PD
- 2-8-4- طراحی ترانسفورمر نوسانگر کلاس PD با استفاده از الگوریتم DBBD
- 3-8-4- پیادهسازی رزونانس مد مشترک
- 4-8-4- انتخاب اندازهی کلیدها در نوسانگر کلاس PD
- شکل )47-4( اثر اندازهی عرض کل ترانزیستور (1.73u*3*nr) بر FOM، نویز فاز نرمالیزه به فرکانس 1 گیگاهرتز در آفست 10 مگاهرتز، توان نرمالیزه بر 1mW و مجموع سهم توان و نویز فاز نرمالیزه در FOM
- شکل )48-4( (الف) پیک ولتاژ سیگنال درین (ب) اندازهی هارمونیک اول سیگنال درین
- شکل )49-4( اثر اندازهی کل ترانزیستورها بر نرخ Kpush
- 5-8-4- شکل موجهای نوسانگر کلاس PD
- 6-8-4- نوسانگر PD در حضور واراکتور و شبکه کلید-خازن
- 7-8-4- نوسانگر شبه D در مقابل شبه F
- 8-8-4- مزایا و کاربرد نوسانگر کلاس PD
- 9-4- نتیجهگیری و جمعبندی
- فصل 5: نوسانگرکنترلشونده با ولتاژ باند K برای کاربرد رادار FMCW
- فصل 5: نوسانگرکنترلشونده با ولتاژ باند K برای کاربرد رادار FMCW
- فصل 5: نوسانگرکنترلشونده با ولتاژ باند K برای کاربرد رادار FMCW
- 1-5- مقدمه
- 2-5- مهندسی محدودهی فرکانسی
- 3-5- اثر غیرخطینگی KVCO بر مشخصهی خطینگی حلقه
- )5-8(
- )5-9(
- 1-3-5- فرم کلی فرکانس خروجی نوسانگر با KVCO غیرایدهآل
- 2-3-5- مدل خطی KVCO
- 3-3-5- مدل سهموی
- 4-3-5- روش اندازهگیری خطای غیرخطینگی چیرپ
- 5-3-5- شبیهسازی خطای غیرخطینگی چیرپ با استفاده از مدلهای خطی و سهموی
- شکل )8-5( حلقهی قفل فاز مورد استفاده در سیستم رادار خودرو
- شکل )9-5( PLL در حضور VCO ایدهآل (الف) ضریب تقسیم حلقه (ب) KVCO (پ) DKVCO (ت) فرکانس خروجی (ث) ولتاژ کنترلی نوسانگر (ج) خطای لحظهای چیرپ (چ) خطای RMS خطینگی (ح) خطای RMS خطینگی با صرف نظر از 5/2 درصد ابتدایی چیرپ (خ) خطای غیرخطینگی
- شکل )9-5( PLL در حضور VCO ایدهآل (الف) ضریب تقسیم حلقه (ب) KVCO (پ) DKVCO (ت) فرکانس خروجی (ث) ولتاژ کنترلی نوسانگر (ج) خطای لحظهای چیرپ (چ) خطای RMS خطینگی (ح) خطای RMS خطینگی با صرف نظر از 5/2 درصد ابتدایی چیرپ (خ) خطای غیرخطینگی
- شکل )10-5( PLL در حضور VCO با گین خطی (الف) ضریب تقسیم حلقه (ب) KVCO (پ) DKVCO (ت) فرکانس خروجی (ث) ولتاژ کنترلی نوسانگر (ج) خطای لحظهای چیرپ (چ) خطای RMS خطینگی (ح) خطای RMS خطینگی با صرف نظر از 5/2 درصد ابتدایی چیرپ (خ) خطای غیرخطینگی
- شکل )10-5( PLL در حضور VCO با گین خطی (الف) ضریب تقسیم حلقه (ب) KVCO (پ) DKVCO (ت) فرکانس خروجی (ث) ولتاژ کنترلی نوسانگر (ج) خطای لحظهای چیرپ (چ) خطای RMS خطینگی (ح) خطای RMS خطینگی با صرف نظر از 5/2 درصد ابتدایی چیرپ (خ) خطای غیرخطینگی
- شکل )11-5( ولتاژ کنترلی VCO با گین خطی در داخل PLL به ازای مقادیر مختلف E
- شکل )12-5( ERMS به ازای DKVCO پیشبینی شده با استفاده از مدل خطی KVCO
- شکل )13-5( PLL در حضور VCO با گین سهموی (الف) ضریب تقسیم حلقه (ب) KVCO (پ) DKVCO (ت) فرکانس خروجی (ث) ولتاژ کنترلی نوسانگر (ج) خطای لحظهای چیرپ (چ) خطای RMS خطینگی (ح) خطای RMS خطینگی با صرف نظر از 5/2 درصد ابتدایی چیرپ (خ) خطای غیرخطینگی
- شکل )13-5( PLL در حضور VCO با گین سهموی (الف) ضریب تقسیم حلقه (ب) KVCO (پ) DKVCO (ت) فرکانس خروجی (ث) ولتاژ کنترلی نوسانگر (ج) خطای لحظهای چیرپ (چ) خطای RMS خطینگی (ح) خطای RMS خطینگی با صرف نظر از 5/2 درصد ابتدایی چیرپ (خ) خطای غیرخطینگی
- شکل )14-5( ولتاژ کنترلی VCO با گین سهموی در داخل PLL به ازای مقادیر مختلف E
- شکل )15-5( ERMS به ازای DKVCO پیشبینی شده با استفاده از مدل سهموی KVCO
- شکل )16-5( Lin به ازای DKVCO پیشبینی شده با استفاده از مدل سهموی KVCO
- 4-5- رویهی عمر نوسانگر
- 5-5- تأثیرگذاری رزونانس امپدانس مد مشترک در باند K
- جدول (3-5) مشخصات نوسانگر برای آزمایش جاروب فرکانس مد دیفرانسیل
- شکل )18-5( بررسی اثر مهندسی هارمونیک بر مشخصات مدار در باند K، جاروب فرکانس رزونانس مد مشترک به ازای fDM=20GHz
- شکل )19-5( FOM نوسانگر به ازای جاروب فرکانس رزونانس امپدانس مد مشترک در آفستهای مختلف با fDM=20GHz
- شکل )20-5( FOM نوسانگری با fcm=2fdm در آفستهای مختلف به ازای جاروب فرکانس مد دیفرانسیل fDM
- شکل )21-5( شکل موج خروجی نوسانگر (الف) fDM=1GHz (ب) fDM=20GHz
- شکل )22-5( سهم نویز فلیکر و حرارتی در نویز فاز کل در آفست 1 مگاهرتز که به فرکانس 77 گیگاهرتز نرمالیزه شدهاند
- 6-5- سهم نویز ترانزیستور در نوسانگر کلاس B2-E در فرکانسهای مختلف
- شکل )23-5( شماتیک نوسانگر کلاس B2-E جهت بررسی اثر فرکانس مرکزی نوسانگر بر مشخصهی نویز فاز
- شکل )24-5( (الف) FOM نوسانگر در آفست 1 مگاهرتز (ب) نویز فاز نوسانگر در آفست 1 مگاهرتز نرمالیزه شده به فرکانس 77 گیگاهرتز
- شکل )25-5( (الف) دامنهی ولتاژ هارمونیک اول خروجی (ب) توان مصرفی نوسانگر
- شکل )26-5( سهم نویز فاز ترانزیستور و نویز فاز کل در آفست 1 مگاهرتز نرمالیزه شده به فرکانس 77 گیگاهرتز
- 7-5- طراحی نوسانگر کلاس B2-E کنترلشونده با ولتاژ برای کاربرد رادار خودرو
- 8-5- جانمایی مدارها
- شکل )34-5( نمای کلی نوسانگر به همراه بافرها و مقسم فرکانسی
- 1-8-5- جانمایی نوسانگر کنترلشونده با ولتاژ
- شکل )35-5( نمای سه بعدی نوسانگر کنترلشونده با ولتاژ
- شکل )36-5( اتصالات هسته و اثر آن بر نویز فاز نوسانگر در آفست 1 مگاهرتز
- شکل )37-5( سلف تانک و محل قرارگیری شبکهی تنظیم فرکانس (الف) افزایش طول پاهای سلف و قرارگیری شبکهی تنظیم در خارج از محدودهی گارد رینگ سلف (ب) سلف در حالت معمولی و قرارگیری شبکهی تنظیم فرکانسی در داخل گاردرینگ سلف
- شکل )38-5( مقایسهی ضریب کیفیت سلف شماتیکی، سلف EM شده و سلف با پاهای امتداد داده شده
- 2-8-5- جانمایی بافر درایور 50 اهم
- 9-5- نتایج شبیهسازی
- 1-9-5- شکل موج خروجی
- 2-9-5- محدودهی تنظیم فرکانسی
- شکل )43-5( حالتهای فرکانسی ساختار به ازای ولتاژهای کنترلی و حالتهای متعدد در ساختار EM شده
- شکل )44-5( توابع کنترلی پیشنهادی به ازای حالتهای مختلف شبکه کلید-خازن (x=0 همهی کلیدها خاموش و x=7 همهی کلیدها روشن) در ساختار EM شده
- شکل )45-5( KVCO و DKVCO نوسانگر کنترلشونده با ولتاژ در ساختار EM شده
- شکل )46-5( تقریب حالت فرکانسی ساختار EM شده با نمودار درجه سه
- شکل )47-5( الف) سیگنال چیرپ تولید شده با استفاده از نوسانگری با حالت فرکانسی نوسانگر کنترلشونده با ولتاژ ساخته شده (ب) سیگنال خطای چیرپ لحظهای و خطای RMS با صرف نظر کردن از 6 درصد ابتدایی از سیگنال چیرپ
- 3-9-5- نویز فاز، مصرف توان و FOM نوسانگر
- شکل )48-5( نویز فاز نوسانگر در آفستهای (الف) 10 کیلوهرتز (ب)100 کیلوهرتز (پ) 1 مگاهرتر و (ت) توان مصرفی نوسانگر در گوشهی TT و دمای 25 درجه در ساختار EM شده
- شکل )49-5( نویز فاز نوسانگر در آفستهای (الف) 10 کیلوهرتز (ب)100 کیلوهرتز (پ) 1 مگاهرتر و (ت) توان مصرفی نوسانگر در گوشهی TT و دمای 125 درجه در ساختار EM شده
- شکل )50-5( نویز فاز نوسانگر در آفستهای (الف) 10 کیلوهرتز (ب)100 کیلوهرتز (پ) 1 مگاهرتر و (ت) توان مصرفی نوسانگر در گوشهی FF و دمای 25 درجه در ساختار EM شده
- شکل )51-5( نویز فاز نوسانگر در آفستهای (الف) 10 کیلوهرتز (ب)100 کیلوهرتز (پ) 1 مگاهرتر و (ت) توان مصرفی نوسانگر در گوشهی FF و دمای 125 درجه در ساختار EM شده
- شکل )52-5( نویز فاز نوسانگر در آفستهای (الف) 10 کیلوهرتز (ب)100 کیلوهرتز (پ) 1 مگاهرتر و (ت) توان مصرفی نوسانگر در گوشهی SS و دمای 25 درجه در ساختار EM شده
- شکل )53-5( نویز فاز نوسانگر در آفستهای (الف) 10 کیلوهرتز (ب)100 کیلوهرتز (پ) 1 مگاهرتر و (ت) توان مصرفی نوسانگر در گوشهی SS و دمای 125 درجه در ساختار EM شده
- 4-9-5- ضریب Kpush و اثر نویز تغذیه
- )5-24(
- شکل )54-5( بیشینه نویز تغذیهی مجاز به ازای جاروب KPush برای نوسانگری با FOM=187dBc/Hz، PDC=17mW و f=19GHz
- شکل )55-5( سیگنال Kpush نوسانگر کلاس B2-E به ازای جاروب ولتاژ تغذیه و ولتاژهای کنترلی متعدد و بیشینهی مقدار Kpush به ازای سیگنالهای متعدد کنترلی
- شکل )56-5( اثر نویز تغذیه بر نویزفاز آفست ۱ مگاهرتز در ساختار EM شده
- شکل )57-5( شیب تخریب نویز فاز به ازای نویز تغذیههای متعدد در ساختار EM شده
- شکل )58-5( Bootstrap کردن نویز تعذیه به مدار با استفاده از فیلتر حلقه
- شکل )59-5( اثر نویز تغذیه بر نویزفاز آفست ۱مگاهرتز در ساختار EM شده باBootstrap کردن تغذیه در ساختار EM شده
- شکل )60-5( شیب تخریب نویز فاز به ازای نویز تغذیههای متعدد پس از Bootstrap کردن در ساختار EM شده
- 5-9-5- توان خروجی بافر تست 50 اهم
- 10-5- نتیجهگیری
- فصل 6: نتیجهگیری
- فصل 7: پیشنهاد پژوهشی
- منابع و مأخد