• کار این رساله
• [83]
• [14]
• [15]
• [84]
• مساحت (mm2)
• چگالی توان (W/mm2)
• بهره b (dB)
• ساختار مداری
• ابعاد فرایند ساخت(μm)
• مرجع
• [85]
• [32]
• [30]
• [86]
• [87]
• [88]
• چکیده
• فهرست مطالب:
• فهرست تصاویر:
• فهرست جداول:
• فهرست اختصارات:
• 1- فصل اول: مقدمه
  • 1-1 ساختار گزارش
• 2- فصل دوم: مروری بر کارهای گذشته
  • 2-1 تقویت‌کننده توزیع یافته متداول
  • 2-2 تقویت‌کننده توزیع یافته در فناوری GaN
  • 2-3 روش‌های بهبود بازده در تقویت‌کننده توزیع یافته
• 3- فصل سوم: تقویت‌کننده توزیع یافته برای پیاده‌سازی آرایه فازی در ساختار فشرده و با پهنای باند زیاد
  • 3-1 تقویت‌کننده توزیع یافته با چند خروجی
  • 3-2 مزیت‌ها و کاربردهای ساختار MODPA
    • 3-2-1 آرایه فازی دارای زیر آرایه
      • شکل ‏3-4 الف) دسته بندی آنتن‌ها در یک آرایه فازی یکنواخت99F ب) ضریب آرایه100F اولیه، ضریب آرایه ثانویه، طرح کلی الگو در زاویه مرکزی101F ، طرح الگو برای 10 درجه زاویه چرخش پرتو برای یک آرایه خطی با دسته بندی یکنواخت و دارای 36 المان و Dp=0.5 λ و Np=3
      • شکل ‏3-5 الف و ب نشان‌دهنده دو روش متداول برای تغذیه آنتن‌ها در زیر آرایه یک آرایه فازی با بهره و فاز یکسان هستند. در این روش متداول استفاده از چند تقسیم‌کننده توان ضروری است. تقسیم‌کننده‌های توان دارای تلفات قابل توجه و مساحت زیادی در تراشه هستند. ج)...
      • شکل ‏3-6 پیاده‌سازی یک فرستنده و گیرنده آرایه فازی با استفاده از تقویت‌کننده توزیع یافته با چند خروجی MODPA در سمت فرستنده و تقویت‌کننده کم نویز با چند ورودی MID-LNA در سمت گیرنده
  • 3-3 مشکلات ساختار تقویت‌کننده توان توزیع یافته با چند خروجی
  • 3-4 خطی‌سازی تقویت‌کننده توزیع یافته با چند خروجی
  • 3-1 نحوه تقسیم توان در ساختار تقویت‌کننده توزیع یافته با چند خروجی
  • 3-2 دو مثال از پیاده‌سازی تقویت‌کننده توزیع یافته با چند خروجی
    • 3-2-1 مدار تقویت‌کننده توزیع یافته با چند خروجی با استفاده از خطوط انتقال خطی- مخروطی148F
  • 3-3 پیاده‌سازی مداری و روش طراحی MODPA
    • 3-3-1 فناوری ساخت D01GH
    • 3-3-2 شبیه‌سازی مشخصات خط انتقال در پروسه GaN D01GH
  • 3-4 پیاده‌سازی تقویت‌کننده توزیع یافته با چند خروجی با استفاده از دوطبقه بهره و خط انتقال مصنوعی160F
  • 3-5 تقسیم خازنی162F در طراحی خط انتقال گیت
  • 3-6 روش طراحی طبقه بهره
    • شکل ‏3-84 خطوط قرمز رنگ نشان‌دهنده منحنی‌های توان خروجی و خطوط بنفش رنگ نشان‌دهنده بازده توان PAE هستند.
  • 3-7 امپدانس بار و بازده در تقویت‌کننده کلاس J
  • 3-8 پایدارسازی و تحلیل پایداری مدار MODPA
    • 3-8-1 پایداری سیگنال کوچک و خطی
  • 3-9 قابلیت اطمینان تراشه MODPA در بلندمدت
• پارامتر
• مقدار متوسط
• 100 nm
• طول گیت
• 105 GHz
• فرکانس قطع (H21)
• 13 dB
• بیشینه بهره پایدار در فرکانس 30 GHz
• کمینه عدد نویز/بهره مرتبط در فرکانس 40 GHz
• چگالی توان RF
• ترارسانایی ذاتی
• مقاومت سورس
• مقاومت بیرونی درین سورس Vds=0V (Ron)
• مقاومت درین سورس در میدان کوچک
• 40 V
• ولتاژ شکست گیت درین برای 300µA/mm
• 12 V
• ولتاژ تغذیه VDD
• 400 Ω□
• مقاومت سطحی لایه فعال
• 0.1 Ω.mm
• مقاومت اهمی اتصال
• 0.055 Ω□
• مقاومت سطحی فلز گیت
• 0.067 Ω□
• مقاومت سطحی لایه فلزی MET1
• 40 Ω□
• مقاومت سطحی MD (NiCr)
• 0.0275 Ω□
• مقاومت سطحی فلز IN
• 0.017 Ω□
• مقاومت سطحی فلز TIN
• 400 pF/mm2
• خازن SiN MIM
• 49 pF/mm2
• خازن SiN+SiO2 MIM
• IMAX at Vds=2V (Gate 1)
• 1.1 A/mm
• 0.8 S/mm
• بیشینه ترارسانایی در Vds=1.2V (Gate 1)
• 0.6 dB/mm
• تلفات Substrate
• 1 Ω.mm
• مقاومت درین سورس در میدان کوچک
• 4- فصل چهارم: بررسی هدایت گرمایی، مدار بایاس تقویت‌کننده و نتایج اندازه‌گیری تراشه تقویت‌کننده توان توزیع یافته با چند خروجی
  • 4-1 نتایج شبیه‌سازی و اندازه‌گیری تجربی تراشه
  • 4-2 هدایت گرمایی و خنک‌سازی تراشه
    • 4-2-1 اتصال یوتکتیک225F برای تراشه‌های GaN
  • 4-3 مدار بایاس239F
  • 4-4 خلاصه نتایج شبیه‌سازی و اندازهگیری تراشه
• Return Lossb (dB)
• fT (GHz)
• VDD (V)
• Freq. (GHz)
• FBWa (%)
• PAEb (%)
• Poutb (dBm)
• 16.7-24
• 40.6-43
• 0.25 GaN
• 30.1
• 30
• RMDAc
• 6-18
• 100
• 15-29
• 0.8-1.6
• 13.8
• >10
• 39-41.7
• 0.25 GaN
• 25
• 30
• DPA
• 1.5-17
• 167
• 10-14
• 20-38
• 0.6-1
• 12.6
• >4
• 0.2 GaN on SiC
• NA
• 10
• DPA
• 2-18
• 160
• 18-21
• 5-15
• 29-33
• 0.1-0.25
• 8
• >4
• 0.1 GaN on Si
• 37-40.8
• 105
• 28
• SDPA d
• 2-19
• 162
• 19-22
• 22-49
• 1.2-2.6
• 4.7
• >5
• 0.2 GaN on SiC
• 65
• 28
• RMPA e
• 3-17
• 140
• 9
• 14-43
• 40-43
• NA
• NA
• >1
• 8-11.5
• 40-41.7
• 0.25 GaN
• NA
• 28
• DEPA f
• 3.2-5.2
• 47.6
• 46-56
• 1-1.4
• 10.2
• >2
• 0.2 GaN on SiC
• 52
• 30
• NDPA
• 2-20
• 163
• 8-11
• NA
• 15-36
• 40-43
• 0.2-0.5
• 38
• 41-44.7
• 0.25 GaN
• 23
• 33
• DPA
• 6-18
• 100
• 8-12
• 8-18
• 0.6-1.4
• 21
• >4
• 0.25 GaAs
• 29-30.7
• NA
• 7
• DJPA g
• 1.5-10
• 147
• 10-16
• 26-44
• 0.1-0.2
• 4.6
• >5
• 0.25 GaN on SiC
• NA
• 28
• RMPA
• 6-18
• 100
• 17-28
• 14-24
• 35-43
• 0.1-1
• 19.3
• >8
• 0.1 GaN on Si
• 105
• 18
• MODPA
• DC-25
• 200
• 17-21
• 22-73
• 37-41
• 2.1-4.2
• 3
• >10
• a پهنای باند کسری (Fractional)
• e Reactively Matched PA
• b بیشینه و کمینه مقادیر گزارش شده در بازه فرکانسی
• f Distributed Efficient Power Amplifier
• c Reactively Matched Distributed Amplifier
• g Distributed Class-J Power Amplifier
• d Stacked Distributed PA
• 5- فصل پنجم: نتیجه‌گیری و کارهای آینده
  • 5-1 کارهای آینده:
• مراجع:

...ادامه