برای استفاده از امکانات سیستم، گزینه جاوا اسکریپت در مرورگر شما باید فعال باشد
صفحه
از
0
طراحی و ساخت مدار شیفت دهنده فاز CMOS باند 10-7 گیگاهرتز
موسوی، ناصر Mousavi, Naser
اطلاعات کتابشناختی
طراحی و ساخت مدار شیفت دهنده فاز CMOS باند 10-7 گیگاهرتز
پدیدآور اصلی :
موسوی، ناصر Mousavi, Naser
ناشر :
صنعتی شریف
سال انتشار :
1390
موضوع ها :
مدار شیفت دهنده فاز Phase Shifter Circuit آرایه فازی Phased Array آنتن آرایه فازی Phased...
شماره راهنما :
05-42581
جستجو در محتوا
ترتيب
شماره صفحه
امتياز صفحه
فهرست مطالب
کار این رساله
(1)
[83]
(1)
[14]
(1)
[15]
(1)
[84]
(1)
مساحت (mm2)
(1)
چگالی توان (W/mm2)
(1)
بهره b (dB)
(1)
ساختار مداری
(1)
ابعاد فرایند ساخت(μm)
(1)
مرجع
(1)
[85]
(1)
[32]
(1)
[30]
(1)
[86]
(1)
[87]
(1)
[88]
(1)
چکیده
(4)
فهرست مطالب:
(6)
فهرست تصاویر:
(8)
فهرست جداول:
(21)
فهرست اختصارات:
(22)
1- فصل اول: مقدمه
(25)
1-1 ساختار گزارش
(31)
2- فصل دوم: مروری بر کارهای گذشته
(33)
2-1 تقویتکننده توزیع یافته متداول
(33)
2-2 تقویتکننده توزیع یافته در فناوری GaN
(39)
2-3 روشهای بهبود بازده در تقویتکننده توزیع یافته
(46)
3- فصل سوم: تقویتکننده توزیع یافته برای پیادهسازی آرایه فازی در ساختار فشرده و با پهنای باند زیاد
(54)
3-1 تقویتکننده توزیع یافته با چند خروجی
(56)
3-2 مزیتها و کاربردهای ساختار MODPA
(60)
3-2-1 آرایه فازی دارای زیر آرایه
(60)
شکل 3-4 الف) دسته بندی آنتنها در یک آرایه فازی یکنواخت99F ب) ضریب آرایه100F اولیه، ضریب آرایه ثانویه، طرح کلی الگو در زاویه مرکزی101F ، طرح الگو برای 10 درجه زاویه چرخش پرتو برای یک آرایه خطی با دسته بندی یکنواخت و دارای 36 المان و Dp=0.5 λ و Np=3
(61)
شکل 3-5 الف و ب نشاندهنده دو روش متداول برای تغذیه آنتنها در زیر آرایه یک آرایه فازی با بهره و فاز یکسان هستند. در این روش متداول استفاده از چند تقسیمکننده توان ضروری است. تقسیمکنندههای توان دارای تلفات قابل توجه و مساحت زیادی در تراشه هستند. ج)...
(62)
شکل 3-6 پیادهسازی یک فرستنده و گیرنده آرایه فازی با استفاده از تقویتکننده توزیع یافته با چند خروجی MODPA در سمت فرستنده و تقویتکننده کم نویز با چند ورودی MID-LNA در سمت گیرنده
(63)
3-3 مشکلات ساختار تقویتکننده توان توزیع یافته با چند خروجی
(67)
3-4 خطیسازی تقویتکننده توزیع یافته با چند خروجی
(69)
3-1 نحوه تقسیم توان در ساختار تقویتکننده توزیع یافته با چند خروجی
(82)
3-2 دو مثال از پیادهسازی تقویتکننده توزیع یافته با چند خروجی
(85)
3-2-1 مدار تقویتکننده توزیع یافته با چند خروجی با استفاده از خطوط انتقال خطی- مخروطی148F
(93)
3-3 پیادهسازی مداری و روش طراحی MODPA
(102)
3-3-1 فناوری ساخت D01GH
(102)
3-3-2 شبیهسازی مشخصات خط انتقال در پروسه GaN D01GH
(105)
3-4 پیادهسازی تقویتکننده توزیع یافته با چند خروجی با استفاده از دوطبقه بهره و خط انتقال مصنوعی160F
(107)
3-5 تقسیم خازنی162F در طراحی خط انتقال گیت
(113)
3-6 روش طراحی طبقه بهره
(118)
شکل 3-84 خطوط قرمز رنگ نشاندهنده منحنیهای توان خروجی و خطوط بنفش رنگ نشاندهنده بازده توان PAE هستند.
(127)
3-7 امپدانس بار و بازده در تقویتکننده کلاس J
(130)
3-8 پایدارسازی و تحلیل پایداری مدار MODPA
(137)
3-8-1 پایداری سیگنال کوچک و خطی
(137)
3-9 قابلیت اطمینان تراشه MODPA در بلندمدت
(153)
پارامتر
(104)
مقدار متوسط
(104)
100 nm
(104)
طول گیت
(104)
105 GHz
(104)
فرکانس قطع (H21)
(104)
13 dB
(104)
بیشینه بهره پایدار در فرکانس 30 GHz
(104)
کمینه عدد نویز/بهره مرتبط در فرکانس 40 GHz
(104)
چگالی توان RF
(104)
ترارسانایی ذاتی
(104)
مقاومت سورس
(104)
مقاومت بیرونی درین سورس Vds=0V (Ron)
(104)
مقاومت درین سورس در میدان کوچک
(104)
40 V
(104)
ولتاژ شکست گیت درین برای 300µA/mm
(104)
12 V
(104)
ولتاژ تغذیه VDD
(104)
400 Ω□
(104)
مقاومت سطحی لایه فعال
(104)
0.1 Ω.mm
(104)
مقاومت اهمی اتصال
(104)
0.055 Ω□
(104)
مقاومت سطحی فلز گیت
(104)
0.067 Ω□
(104)
مقاومت سطحی لایه فلزی MET1
(104)
40 Ω□
(104)
مقاومت سطحی MD (NiCr)
(104)
0.0275 Ω□
(104)
مقاومت سطحی فلز IN
(104)
0.017 Ω□
(104)
مقاومت سطحی فلز TIN
(104)
400 pF/mm2
(104)
خازن SiN MIM
(104)
49 pF/mm2
(104)
خازن SiN+SiO2 MIM
(104)
IMAX at Vds=2V (Gate 1)
(104)
1.1 A/mm
(104)
0.8 S/mm
(104)
بیشینه ترارسانایی در Vds=1.2V (Gate 1)
(104)
0.6 dB/mm
(104)
تلفات Substrate
(104)
1 Ω.mm
(104)
مقاومت درین سورس در میدان کوچک
(104)
4- فصل چهارم: بررسی هدایت گرمایی، مدار بایاس تقویتکننده و نتایج اندازهگیری تراشه تقویتکننده توان توزیع یافته با چند خروجی
(154)
4-1 نتایج شبیهسازی و اندازهگیری تجربی تراشه
(154)
4-2 هدایت گرمایی و خنکسازی تراشه
(156)
4-2-1 اتصال یوتکتیک225F برای تراشههای GaN
(157)
4-3 مدار بایاس239F
(161)
4-4 خلاصه نتایج شبیهسازی و اندازهگیری تراشه
(164)
Return Lossb (dB)
(168)
fT (GHz)
(168)
VDD (V)
(168)
Freq. (GHz)
(168)
FBWa (%)
(168)
PAEb (%)
(168)
Poutb (dBm)
(168)
16.7-24
(168)
40.6-43
(168)
0.25 GaN
(168)
30.1
(168)
30
(168)
RMDAc
(168)
6-18
(168)
100
(168)
15-29
(168)
0.8-1.6
(168)
13.8
(168)
>10
(168)
39-41.7
(168)
0.25 GaN
(168)
25
(168)
30
(168)
DPA
(168)
1.5-17
(168)
167
(168)
10-14
(168)
20-38
(168)
0.6-1
(168)
12.6
(168)
>4
(168)
0.2 GaN on SiC
(168)
NA
(168)
10
(168)
DPA
(168)
2-18
(168)
160
(168)
18-21
(168)
5-15
(168)
29-33
(168)
0.1-0.25
(168)
8
(168)
>4
(168)
0.1 GaN on Si
(168)
37-40.8
(168)
105
(168)
28
(168)
SDPA d
(168)
2-19
(168)
162
(168)
19-22
(168)
22-49
(168)
1.2-2.6
(168)
4.7
(168)
>5
(168)
0.2 GaN on SiC
(168)
65
(168)
28
(168)
RMPA e
(168)
3-17
(168)
140
(168)
9
(168)
14-43
(168)
40-43
(168)
NA
(168)
NA
(168)
>1
(168)
8-11.5
(168)
40-41.7
(168)
0.25 GaN
(168)
NA
(168)
28
(168)
DEPA f
(168)
3.2-5.2
(168)
47.6
(168)
46-56
(168)
1-1.4
(168)
10.2
(168)
>2
(168)
0.2 GaN on SiC
(168)
52
(168)
30
(168)
NDPA
(168)
2-20
(168)
163
(168)
8-11
(168)
NA
(168)
15-36
(168)
40-43
(168)
0.2-0.5
(168)
38
(168)
41-44.7
(168)
0.25 GaN
(168)
23
(168)
33
(168)
DPA
(168)
6-18
(168)
100
(168)
8-12
(168)
8-18
(168)
0.6-1.4
(168)
21
(168)
>4
(168)
0.25 GaAs
(168)
29-30.7
(168)
NA
(168)
7
(168)
DJPA g
(168)
1.5-10
(168)
147
(168)
10-16
(168)
26-44
(168)
0.1-0.2
(168)
4.6
(168)
>5
(168)
0.25 GaN on SiC
(168)
NA
(168)
28
(168)
RMPA
(168)
6-18
(168)
100
(168)
17-28
(168)
14-24
(168)
35-43
(168)
0.1-1
(168)
19.3
(168)
>8
(168)
0.1 GaN on Si
(168)
105
(168)
18
(168)
MODPA
(168)
DC-25
(168)
200
(168)
17-21
(168)
22-73
(168)
37-41
(168)
2.1-4.2
(168)
3
(168)
>10
(168)
a پهنای باند کسری (Fractional)
(168)
e Reactively Matched PA
(168)
b بیشینه و کمینه مقادیر گزارش شده در بازه فرکانسی
(168)
f Distributed Efficient Power Amplifier
(168)
c Reactively Matched Distributed Amplifier
(168)
g Distributed Class-J Power Amplifier
(168)
d Stacked Distributed PA
(168)
5- فصل پنجم: نتیجهگیری و کارهای آینده
(169)
5-1 کارهای آینده:
(171)
مراجع:
(172)
