درحال بارگذاري...
جستجو
ایمیل دوست | |
نام شما | |
ایمیل شما | |
کد مقابل را وارد نمایید | |
این صفحه برای دوست شما با موفقیت ارسال شد.
207 مرتبه مشاهده شده
تقویت کننده توان توزیع یافته بهینه با چندخروجی در فناوری GaN برای پیاده سازی زیرآرایه در آرایه فازی پهن باند
هلالیان، حمید Helalian, Hamid
- شماره پایان نامه:56478
- کد دانشکده:05
- پديدآور: هلالیان، حمید
- عنوان:تقویت کننده توان توزیع یافته بهینه با چندخروجی در فناوری GaN برای پیاده سازی زیرآرایه در آرایه فازی پهن باند.
- نام دانشگاه/پژوهشگاه:صنعتی شریف
- سال اخذ مدرك:1402.
- نام دانشکده:مهندسی برق
- مقطع:دکتری
- گرایش:الکترونیک - میکروالکترونیک
- توصیف ظاهری:179ص.: جدول، نمودار، کتابنامه؛ چکیده به فارسی و انگلیسی
- توصیفگر: تقویت کننده توان کلاس جی Class J Power Amplifier
- توصیفگر: تقویت کننده گسترده Distributed Amplifier
- توصیفگر: ترکیب توان فضایی Spatial Power Combining
- توصیفگر: ترانزیستور اثر میدانی با حرکت پذیری الکترون بالا High Electron Mobility Field Effect Transistor (HEMT)
- توصیفگر: آنتن آرایه فازی Phased Array Antenna
- توصیفگر: فناوری GaN GaN Technology
- توصیفگر: سیستم آرایه فازی پهن باند Wideband Phased Array System
- استاد راهنما. عطاردی، مجتبی
- محتواي کتاب
- مشاهده
- کار این رساله
- [83]
- [14]
- [15]
- [84]
- مساحت (mm2)
- چگالی توان (W/mm2)
- بهره b (dB)
- ساختار مداری
- ابعاد فرایند ساخت(μm)
- مرجع
- [85]
- [32]
- [30]
- [86]
- [87]
- [88]
- چکیده
- فهرست مطالب:
- فهرست تصاویر:
- فهرست جداول:
- فهرست اختصارات:
- 1- فصل اول: مقدمه
- 2- فصل دوم: مروری بر کارهای گذشته
- 3- فصل سوم: تقویتکننده توزیع یافته برای پیادهسازی آرایه فازی در ساختار فشرده و با پهنای باند زیاد
- 3-1 تقویتکننده توزیع یافته با چند خروجی
- 3-2 مزیتها و کاربردهای ساختار MODPA
- 3-2-1 آرایه فازی دارای زیر آرایه
- شکل 3-4 الف) دسته بندی آنتنها در یک آرایه فازی یکنواخت99F ب) ضریب آرایه100F اولیه، ضریب آرایه ثانویه، طرح کلی الگو در زاویه مرکزی101F ، طرح الگو برای 10 درجه زاویه چرخش پرتو برای یک آرایه خطی با دسته بندی یکنواخت و دارای 36 المان و Dp=0.5 λ و Np=3
- شکل 3-5 الف و ب نشاندهنده دو روش متداول برای تغذیه آنتنها در زیر آرایه یک آرایه فازی با بهره و فاز یکسان هستند. در این روش متداول استفاده از چند تقسیمکننده توان ضروری است. تقسیمکنندههای توان دارای تلفات قابل توجه و مساحت زیادی در تراشه هستند. ج)...
- شکل 3-6 پیادهسازی یک فرستنده و گیرنده آرایه فازی با استفاده از تقویتکننده توزیع یافته با چند خروجی MODPA در سمت فرستنده و تقویتکننده کم نویز با چند ورودی MID-LNA در سمت گیرنده
- 3-2-1 آرایه فازی دارای زیر آرایه
- 3-3 مشکلات ساختار تقویتکننده توان توزیع یافته با چند خروجی
- 3-4 خطیسازی تقویتکننده توزیع یافته با چند خروجی
- 3-1 نحوه تقسیم توان در ساختار تقویتکننده توزیع یافته با چند خروجی
- 3-2 دو مثال از پیادهسازی تقویتکننده توزیع یافته با چند خروجی
- 3-3 پیادهسازی مداری و روش طراحی MODPA
- 3-4 پیادهسازی تقویتکننده توزیع یافته با چند خروجی با استفاده از دوطبقه بهره و خط انتقال مصنوعی160F
- 3-5 تقسیم خازنی162F در طراحی خط انتقال گیت
- 3-6 روش طراحی طبقه بهره
- 3-7 امپدانس بار و بازده در تقویتکننده کلاس J
- 3-8 پایدارسازی و تحلیل پایداری مدار MODPA
- 3-9 قابلیت اطمینان تراشه MODPA در بلندمدت
- پارامتر
- مقدار متوسط
- 100 nm
- طول گیت
- 105 GHz
- فرکانس قطع (H21)
- 13 dB
- بیشینه بهره پایدار در فرکانس 30 GHz
- کمینه عدد نویز/بهره مرتبط در فرکانس 40 GHz
- چگالی توان RF
- ترارسانایی ذاتی
- مقاومت سورس
- مقاومت بیرونی درین سورس Vds=0V (Ron)
- مقاومت درین سورس در میدان کوچک
- 40 V
- ولتاژ شکست گیت درین برای 300µA/mm
- 12 V
- ولتاژ تغذیه VDD
- 400 Ω□
- مقاومت سطحی لایه فعال
- 0.1 Ω.mm
- مقاومت اهمی اتصال
- 0.055 Ω□
- مقاومت سطحی فلز گیت
- 0.067 Ω□
- مقاومت سطحی لایه فلزی MET1
- 40 Ω□
- مقاومت سطحی MD (NiCr)
- 0.0275 Ω□
- مقاومت سطحی فلز IN
- 0.017 Ω□
- مقاومت سطحی فلز TIN
- 400 pF/mm2
- خازن SiN MIM
- 49 pF/mm2
- خازن SiN+SiO2 MIM
- IMAX at Vds=2V (Gate 1)
- 1.1 A/mm
- 0.8 S/mm
- بیشینه ترارسانایی در Vds=1.2V (Gate 1)
- 0.6 dB/mm
- تلفات Substrate
- 1 Ω.mm
- مقاومت درین سورس در میدان کوچک
- 4- فصل چهارم: بررسی هدایت گرمایی، مدار بایاس تقویتکننده و نتایج اندازهگیری تراشه تقویتکننده توان توزیع یافته با چند خروجی
- Return Lossb (dB)
- fT (GHz)
- VDD (V)
- Freq. (GHz)
- FBWa (%)
- PAEb (%)
- Poutb (dBm)
- 16.7-24
- 40.6-43
- 0.25 GaN
- 30.1
- 30
- RMDAc
- 6-18
- 100
- 15-29
- 0.8-1.6
- 13.8
- >10
- 39-41.7
- 0.25 GaN
- 25
- 30
- DPA
- 1.5-17
- 167
- 10-14
- 20-38
- 0.6-1
- 12.6
- >4
- 0.2 GaN on SiC
- NA
- 10
- DPA
- 2-18
- 160
- 18-21
- 5-15
- 29-33
- 0.1-0.25
- 8
- >4
- 0.1 GaN on Si
- 37-40.8
- 105
- 28
- SDPA d
- 2-19
- 162
- 19-22
- 22-49
- 1.2-2.6
- 4.7
- >5
- 0.2 GaN on SiC
- 65
- 28
- RMPA e
- 3-17
- 140
- 9
- 14-43
- 40-43
- NA
- NA
- >1
- 8-11.5
- 40-41.7
- 0.25 GaN
- NA
- 28
- DEPA f
- 3.2-5.2
- 47.6
- 46-56
- 1-1.4
- 10.2
- >2
- 0.2 GaN on SiC
- 52
- 30
- NDPA
- 2-20
- 163
- 8-11
- NA
- 15-36
- 40-43
- 0.2-0.5
- 38
- 41-44.7
- 0.25 GaN
- 23
- 33
- DPA
- 6-18
- 100
- 8-12
- 8-18
- 0.6-1.4
- 21
- >4
- 0.25 GaAs
- 29-30.7
- NA
- 7
- DJPA g
- 1.5-10
- 147
- 10-16
- 26-44
- 0.1-0.2
- 4.6
- >5
- 0.25 GaN on SiC
- NA
- 28
- RMPA
- 6-18
- 100
- 17-28
- 14-24
- 35-43
- 0.1-1
- 19.3
- >8
- 0.1 GaN on Si
- 105
- 18
- MODPA
- DC-25
- 200
- 17-21
- 22-73
- 37-41
- 2.1-4.2
- 3
- >10
- a پهنای باند کسری (Fractional)
- e Reactively Matched PA
- b بیشینه و کمینه مقادیر گزارش شده در بازه فرکانسی
- f Distributed Efficient Power Amplifier
- c Reactively Matched Distributed Amplifier
- g Distributed Class-J Power Amplifier
- d Stacked Distributed PA
- 5- فصل پنجم: نتیجهگیری و کارهای آینده
- مراجع: